Tấm pin có thể uốn cong mà không gãy (Ảnh: CCTV).
Gần đây, nhóm nghiên cứu của Viện nghiên cứu Công nghệ thông tin và hệ thống vi mô Thượng Hải (Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences, SIMIT) trực thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc (Chinese Academy of Sciences, CAS) đã chế tạo được một loại pin mặt trời silicon đơn tinh thể có độ dẻo cao, có thể uốn cong như một tờ giấy mà không dễ bị gãy. Thành quả này đã được công bố trên tạp chí học thuật quốc tế danh tiếng Nature hôm 24/5.
Các tấm pin có thể cuộn lại mà không gãy (Ảnh: CCTV).
Tại Viện nghiên cứu Công nghệ thông tin và hệ thống vi mô Thượng Hải (SIMIT), Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc, các nhà nghiên cứu đã trình diễn các phóng viên xem tấm pin mặt trời silicon đơn tinh thể độ bền cao của họ. Trong tay các nhà khoa học tấm pin mỏng như tờ giấy có thể uốn cong hoặc cuộn lại.
Ông Lưu Chính Tân (Liu Zhengxin), một nhà nghiên cứu của Viện nói: Loại quang điện (pin mặt trời) mà chúng ta đang sử dụng hiện nay đều được làm bằng silicon đơn tinh thể, khi bị lực tác động lên, nó rất dễ bị gãy, đặc biệt nếu chúng ta muốn làm cho nó rẻ hơn và mỏng hơn, (độ dày) càng mỏng thì càng dễ gãy vỡ.
Tấm pin khổ lớn có thể uốn cong (Ảnh: CCTV).
Các nhà nghiên cứu nói với các phóng viên rằng trước đây hầu như không thể thực hiện uốn cong các tấm silicon ở các góc lớn mà không bị hư hại, nguyên nhân chủ yếu là các đặc tính cơ học của tấm silicon hạn chế tính dẻo dai linh hoạt của chúng.
Ông Lưu Văn Trụ (Liu Wezhu), phó nghiên cứu viên tại SIMIT nói: “Qua phân tích, nhóm nghiên cứu chúng tôi phát hiện ra rằng dưới ứng lực uốn lớn của tấm silicon, nó luôn bị gãy ở khu vực rãnh vi mô sắc nét xung quanh tấm silicon. Dựa trên khám phá như vậy, nhóm nghiên cứu chúng tôi đã phát triển một phương pháp xử lý làm tròn mép của các tấm silicon”.
Các nhà khoa học nhóm nghiên cứu của SIMIT (Ảnh: CCTV).
Phương pháp xử lý làm mịn và vê tròn cạnh được các nhà nghiên cứu đề cập là xử lý các rãnh hình chữ "V" sắc nét trên bề mặt cạnh và các mặt của tấm wafer silicon thành các rãnh hình chữ "U" nhẵn, từ đó thay đổi cấu trúc vi mô và tính chất cơ học của cạnh các tấm wafer silicon, đồng thời với việc tăng cường tính linh hoạt của wafer silicon nhưng không ảnh hưởng đến khả năng hấp thụ ánh sáng của wafer silicon. Hiện tại, nhóm nghiên cứu khoa học đã có thể giảm độ dày của tấm silicon xuống 50-60 micromet (µm). So với các tấm pin mặt trời truyền thống, tấm pin mặt trời silicon đơn tinh thể uốn dẻo linh hoạt được sản xuất dựa trên công nghệ này về cơ bản vẫn duy trì được hiệu suất chuyển đổi quang điện như nhau.
Ông Địch Tăng Phong (Di Zengfeng), Phó giám đốc Viện nghiên cứu Công nghệ thông tin và hệ thống vi mô Thượng Hải, Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc nói: “Loại pin mặt trời dẻo linh hoạt này sẽ mở rộng mạnh mẽ các kịch bản ứng dụng của năng lượng mặt trời (quang điện) và sẽ phục vụ tốt hơn cho các dự án lớn của quốc gia và chiến lược trung hòa carbon cao nhất của Trung Quốc.”
(theo Sohu)
