Ba năm sau khi ra mắt RAM LPDDR5X có tốc độ 8,5 Gbps, Samsung tiếp tục đạt bước tiến đáng kể trong công nghệ chip nhớ di động khi nâng tốc độ của dòng này lên 10,7Gbps, vượt qua LPDDR5T 9,6 Gbps do SK Hynix giới thiệu năm 2023.
Theo thông tin từ hãng này cung cấp, DRAM mới giúp khả năng chạy đa nhiệm của thiết bị mượt mà, thời gian tải ứng dụng và khả năng phản hồi nhanh hơn.
Ngoài hiệu suất tăng 25% so với thế hệ trước, DRAM mới còn nhiều nâng cấp về công nghệ sản xuất. Chip nhớ này được tạo trên quy trình 12 nm, giúp kích thước nhỏ hơn và cho phép Samsung tăng 30% dung lượng. Hãng đang sản xuất DRAM mới với dung lượng đến 32 GB, cho phép mô hình AI lớn và phức tạp hơn hoạt động trên thiết bị di động.
Samsung đang hướng DRAM mới này tới các ứng dụng AI trong bối cảnh các thiết bị tích hợp trí tuệ nhân tạo đòi hỏi bộ nhớ RAM lớn và tốc độ nhanh. LPDDR5X còn hỗ trợ giảm 25% mức tiêu thụ điện năng và có thể chuyển sang chế độ tiết kiệm năng lượng trong thời gian dài. Đây được đánh giá là lợi thế của sản phẩm khi trang bị trên thiết bị di động dùng pin.
DRAM LPDDR5X tốc độ 10,7Gbps sẽ được Samsung cho sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm nay, đồng thời thế hệ tiếp theo là LPDDR6 cũng đang được nghiên cứu.
